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数量:2137 |
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| 规格书 |
 2SA2012/2SC5565 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 210mV @ 30mA, 1.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 200 @ 500mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 3.5W |
| 频率转换 | 420MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 4PCP |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 集电极最大直流电流 | 5 A |
| 最小直流电流增益 | 200@500mA@2V |
| 最大工作频率 | 350(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.21@30mA@1.5A|0.26@125mA@2.5A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1300 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 5A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 420MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 210mV @ 30mA, 1.5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | PCP |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 3.5W |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 500mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | DC/DC Converter |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 4.5mm |
| 最大的基射极饱和电压 | -1.2 V |
| 最大集电极基极电压 | -30 V |
| 最大基地发射极电压 | -5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PCP |
| 宽度 | 2.5mm |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 140 mV |
| 晶体管极性 | PNP |
| 系列 | 2SA2012 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
| 增益带宽产品fT | 350 MHz |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 30 V |
| Pd - Power Dissipation | 3.5 W |
| 品牌 | ON Semiconductor |
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